محققان اينتل مي گويند راه بهتري را براي عايق بندي مدارهاي مورد استفاده در تراشه ها پيدا کرده اند و اين امر به آنان امکان مي دهد تا ضمن کاهش مصرف انرژي ميزان کارآيي تراشه ها را افزايش دهند.

به گزارش بخش خبر تراشه از هموطن، اينتل مي گويد با استفاده از همين فناوري تا سال 2010 درصدد ساخت ترانزيستورهاي Tri-Gate برخواهد آمد. کارآيي اين پردازنده ها 35 درصد و سرعتشان 45 درصد بيشتر از نمونه هاي مشابه قبلي خواهد بود. ترانزيستورهاي فعلي اينتل بر مبناي فن آوري 65 نانومتري ساخته مي شوند.

کارشناسان مي گويند دستيابي به اين فناوري راه را براي ساخت تراشه هاي قدرتمند مورد استفاده در رايانه هاي عادي و سرور، PDA ها و لپ تاپ ها هموار خواهد کرد.

AMD رقيب اينتل هم مدعي است تراشه هاي جديد Opteron خود را به گونه اي طراحي کرده که واجد همين خصوصيات باشند.